一、个人基本信息
出生日期:1977年12月
籍贯:河南滑县
性别:男
民族:汉
专业技术职务:副教授
最高学历:博士研究生
工作单位:taptap下载安装安卓理学院物理系
通信地址:天津市东丽区津北公路2898号taptap下载安装安卓理学院物理系
邮政编码:300300
电 话:13821969106
电子邮箱:huiyu_yan@163.com
二、学习和工作经历简介
2018.03—至今,taptap下载安装安卓,理学院,副教授
2008.12—2017.12,taptap下载安装安卓,理学院,讲师
2005.09—2008.11,taptap下载安装安卓,理学院,助教
2017年12月获天津大学材料物理与化学专业博士学位
2002.09—2005.07,兰州大学,凝聚态物理,硕士
1998.09—2002.07,河南师范大学,物理学教育,学士
三、课程教学
本科生课程:《普通物理》,《物理实验》
研究生课程:《凝聚态物理导论》
四、学术兼职
天津市真空学会理事
五、荣誉称号与获奖
2023年,天津市物理竞赛优秀指导教师
2013年,taptap下载安装安卓优秀教师
六、人才培养
(1)2024年指导学生参加“天津市物理实验竞赛”获天津赛区二等奖
(2)历年指导学生参加天津市物理竞赛获奖十多名。
七、主要研究方向和研究业绩
1)主要研究方向:
人工神经网络,新型阻变器件的设计。
2)主要科研项目:
[1]天津市教委科研计划项目:基于氧化锡多孔阵列的碳基钙钛矿电池电子传输层/钙钛矿界面研究,参与,总经费8.0万元。2020.12-2022.12(2020KJ032)。
[2]中央高校科研业务费:碳基钙钛矿电池中的SnO2纳米阵列开发、优化及电子传输特性研究(2020KJ032),2019.10-2021.12,参与。
[3]天津市自然科学基金-多元投入基金“航空铝材表面超疏水保护膜的构筑及其抗覆冰机制研究”,参与,总经费6.0万元。2023.1-2024.12(21JCQNJC00950)。
[4]中央高校科研业务费“金属氧化物阻变效应中设置过程的研究”,主持,已结题,总经费5.0万元。2017.05-2022.04.(3122017081)
[5]天津市重点实验室开放基金“机载耐高温信息存储及处理技术的研究”,主持,总经费2.0万元。2021.01-2022.12
[6]中央高校科研业务费重点项目“航空铝合金表面长效防覆冰高硬超疏水保护膜的组装与性能研究”,参与,总经费20.0万元。2024.01-2026.01(3122024059)
八、论著目录
1)代表性学术论文
[1]He Tao,Yan Huiyu,Wang, Yixuan.Enhanced resistive switching performance in TiN/AlOx/Pt RRAM by high-temperature I-V cycling.Solid-State Electron, 221, 109011, Nov 12, 2024,ISSN: 0038-1101, WOS: 001339980100001, EI: 20244317239651
[2]Yan Huiyu,LiJia,Guo Yanrui,Song Qinggong,Han Jianhua,Yang Fang.A study on dopant selection for ZrO2based RRAM from density functional theory.Physica B: Condensed Matter,612,July 1, 2021,ISSN: 0921-4526,WOS: 000647701100006, EI:20211210122707
[3]Yanrui Guo, Qinggong Song,Huiyu Yan*, The influence of interaction between oxygen vacancies on set process in resistive switching: a case of MgO. AIP Advances, 2019,9: 055230/1-7.
[4]Hui-Yu Yan*, and Zhi-Qing Li*, A study on set process and its influence on performance of resistive switching. Phys. Status Solidi A, 2017, 214: 1700546/1-6.
[5]Hui-Yu Yan*, and Zhi-Qing Li*, Influence of polarity of set voltage on the properties of conductive filaments in NiO based nonvolatile memory device. Solid-State Electronics, 2017, 129: 120-124.
[6]Huiyu Yan*,Yanrui Guo, Qinggong Song, Yifei Chen,YihuaShi.“Electronic Structure and Magnetic Interactions in Ti-Doped and Ti-V-O-Co-Doped beta-Ga2O3from First-Principles Calculations”.J.Supercond.Novel.Magn, 2016, 29(10):2607-2613.
[7]Huiyu Yan*,Yanrui Guo, Qinggong Song , Yifei Chen, Songqing Guo. “Electronic Structure and Ferromagnetic Properties of Mg Doped Cubic BN from First-Principles Calculation”. J. Supercond. Novel. Magn, 2015, 28(4):2425-2430.
[8]Huiyu Yan*,Yanrui Guo, Qinggong Song , Yifei Chen. “First-principles study on electronic structure and optical properties of Cu-doped β-Ga2O3”. Physica B, 2014, 434 (1) : 181–184.
[9]Huiyu Yan*, Yuqi Li, Yanrui Guo,Qinggong Song, Yifei Chen. “Ferromagnetic properties of Cu-doped ZnS:A density functional theory study”. Physica B, 2011, 406 (3) : 545–547.
[10] Yanrui Guo*,Huiyu Yan, Guoying Gao, Qinggong Song. “Half-metallic ferromagnetic property of FeTiS2based on first principles”. Physica B, 2010, 405 (1): 277–280